碳化硅比表面測定是在液氮溫度下（77.3K）向樣品管內(nèi)通入一定量的吸附質(zhì)氣體（N2）通過氣體狀態(tài)方程PV=nRT，得到分壓點的吸附量；再通過BET或Langmuir等理論公式計算可得到樣品的比表面積，逐漸投入吸附質(zhì)氣體增大吸附平衡壓力，得到吸脫附等溫線；再通過吸附脫附等溫線的數(shù)據(jù)計算得到樣品的孔徑大小，孔體積，孔徑分布等信息。

BSD-660  全自動高通量  高性能比表面積及孔徑分析儀

   產(chǎn)品概述：

  ◆ 比表面積及介孔，微孔，超微孔分析  

  ◆ 高通量分析：最多同時分析12個樣品  

  ◆ 真正全自動：脫氣→測試，全自動切換，無需人為干預

  主要功能 / Main Function

  ◆ 高通量快速比表面積分析；

  ◆ 孔體積和孔徑分布（介孔、微孔、超微孔）

  ◆ 常規(guī)氣體吸附，如 N2,O2,Ar,CO,CO2 等

  ◆ 可燃氣體吸附，如 H2,CH4,C2H6 等烷烯炔烴；

  技術(shù)參數(shù) / Technical Parameter

  ◆ 寬測試范圍：比表面積0.0005㎡/g以上，孔徑0.35-500nm;

  ◆ 高測試精度：比表面積、孔徑、孔體積、吸附量≤1%RSD（標準樣品）;

  ◆ 程序升溫脫氣：軟件控制程序升溫，室溫-400℃，精度優(yōu)于0.1℃；

  ◆ 智能脫氣完成判斷：支持軟件自動判斷，根據(jù)壓力變化自動判斷脫氣效果；

  ◆ 防飛揚脫氣：“程序控壓"+“程序控溫"+“脫氣爐升降"=“壓控升溫";

  ◆ 真空度：10-2Pa，選配分子泵，真空度可達10-8Pa;

碳化硅比表面測定  技術(shù)優(yōu)勢 / Technical Advantages

  ◆ 高通量：最多一次支持12個樣品的分析；

  ◆ 真正全自動化：脫氣爐與杜瓦杯自動切換，無需人工轉(zhuǎn)移樣 品管或脫氣爐；

  ◆ 時間利用率高：解決了常規(guī)儀器下班后脫氣完成后，無法開始進入測試 的時間浪費，讓下班裝樣，上班看數(shù)據(jù)成為現(xiàn)實；

  ◆ 消除“氦污染"：氦氣測試死體積→真空加熱脫氣→吸附測試 在國際范圍內(nèi)解決微孔分析的氦污染難題，提高測試準確度；

  ◆ 防飛揚脫氣：支持“程序控壓"+“程序控溫"脫氣，根據(jù)壓力變 化自動升降脫氣爐，將防止樣品飛揚；

  ◆ 支持自動循環(huán)測試：自動脫氣+測試循環(huán)測試，用于評價材料吸附性能 穩(wěn)定性和吸附性能壽命評價；

  ◆“壓控升溫"防飛揚脫氣技術(shù)；

  ◆“溫區(qū)自動恒定"技術(shù)；

  ◆ 便捷安裝密封：單分析站6支樣品管一次性密封技術(shù)，無需單支逐個密封，

  ◆ 氣路系統(tǒng)全恒溫：儀器內(nèi)部氣路系統(tǒng)全恒溫至40℃，精度優(yōu)于0.1℃；

  ◆ 上移門：人性化輕松開合，節(jié)約實驗室空間；

  ◆ 電動渦輪液氮泵：人性化液氮添加，無極調(diào)速，隨意移動，安全且便捷， 液氮無污染；

  ◆ 高可靠性：國際化供應商體系，